Mosfet Canal N
Los 10 mejores productos de septiembre de 2025
Última actualización:
8 de septiembre de 2025
Innfeeltech
Innfeeltech 10 piezas de transistores MOSFET IRFZ44N 49A 55V tubos de efecto de campo N-canal To-220 de potencia MOSFET transistor de efecto de campo rectificador
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#1 GANADOR
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El paquete incluye 10 piezas Transistores MOSFET IRFZ44N
Normativa: Corriente de drenaje Id 49A, Tensión de fuente de drenaje Vds 55V
Temperatura de funcionamiento:-55 °C a +175 °C
Polaridad del transistor: Transistor de canal N. Encapsulado To-220AB
Aplicación: Para aplicaciones de conmutación de alta potencia y amplificación de señal en dispositivos electrónicos.
8,99 € EN AMAZON
ECSiNG
ECSiNG 10 Uds Transistor MOSFET IRF3205 de Canal N ESD Clasificado TO-220 110A 55V 3 Pines Potencia Rectificadora Internacional para La Industria Doméstica Y Bricolaje
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#2
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Modelo : IRF3205; ID de corriente de drenaje continuo: 110 A; Voltaje de la fuente de drenaje Vds : 55 V; Polaridad del transistor: Canal N.
Material duradero : El transistor está hecho de material semiconductor de óxido metálico, que tiene buena estabilidad térmica y una larga vida útil.
Tecnología de proceso avanzada : El transistor es un tipo de componente electrónico de precisión con alta resistencia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y un amplio rango dinámico.
Aplicación : Es un dispositivo semiconductor de potencia de uso común en circuitos electrónicos, que puede usarse como interruptores electrónicos, rectificadores controlables, etc.
Multifunción : Rectificador de canal N con múltiples funciones como detección, rectificación, amplificación, conmutación, estabilización de voltaje y modulación de señal, ampliamente utilizado en circuitos integrados de gran y muy gran escala.
9,69 € EN AMAZON
Riybyds
10 Piezas Transistores MOSFET IRFZ44N de Canal N, Rectificadores de Potencia, 49A 55V, Ideales para Aplicaciones de Conmutación de Alta Potencia
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CALIDAD EXCELENTE
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#3
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Alta Capacidad de Conmutación: Los transistores MOSFET IRFZ44N de canal N ofrecen una corriente de drenaje máxima de 49A y una tensión de drenaje-source de 55V, perfectos para aplicaciones que requieren un alto rendimiento de conmutación.
Paquete Económico de 10 Unidades: Este conjunto incluye 10 transistores MOSFET, ideal para profesionales y entusiastas de la electrónica que necesitan múltiples componentes para sus proyectos o para mantener un inventario adecuado.
Durabilidad y Fiabilidad Mejoradas: Fabricados con materiales de alta calidad, estos transistores MOSFET están diseñados para resistir condiciones operativas exigentes, asegurando una larga vida útil y minimizando la necesidad de reemplazos frecuentes.
Compatibilidad Amplia con Circuitos: Gracias a su tipo de canal N, estos transistores se integran fácilmente en una variedad de diseños de circuitos, facilitando la implementación en proyectos nuevos o existentes.
Optimización de la Eficiencia Energética: Utilizar estos transistores MOSFET puede mejorar la eficiencia energética de sus dispositivos, gracias a su capacidad para manejar la potencia de manera eficiente y con una menor generación de calor.
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HUAREW
HUAREW 10 piezas IRFZ44N rectificador de canal N transistor MOSFET de potencia 49A 55V
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CALIDAD DISTINGUIDA
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#4
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HUAREW IRFZ44N Transistor MOSFET
Embalaje: 10 piezas
Tipo: canal N
Id de corriente de drenaje: 49A
Voltaje de la fuente de drenaje Vds: 55V
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ECSiNG
ECSiNG 10 unidades IRFB4110 MOSFET de canal N para profesionales de la electrónica, aficionados, producto de repuesto electrónico de potencia para motores de CC, sistemas de gestión de baterías
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#5
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El MOSFET de canal N IRFB4110 es ideal para situaciones en las que necesitas controlar la electrónica de potencia media a alta.
El IRFB4110 es adecuado para motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores CC-CC.
Puede cambiar hasta aproximadamente 100 V a una corriente máxima de 130 A (no continuo, solo pico)
Rendimiento estable, adecuado para profesionales de la electrónica y aficionados, y también un buen reemplazo para productos dañados.
Contenido del paquete: 10 unidades IRFB4110 MOSFET de canal N, estilo de carcasa: TO-220.
15,75 € EN AMAZON
EMSea
EMSea 20 Piezas de Amplificador de RF de Canal N MPF102 TO-92 Transistor de Canal N Transistor de Efecto de Campo MOS de 20 MA
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#6
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Paquete TO-92 compacto : Los transistores MPF102 cuentan con una carcasa TO-92, lo que los hace fáciles de integrar en placas de circuitos para creación de prototipos y proyectos profesionales.
Corriente máxima estable de 20 mA : Maneja una corriente de drenaje máxima de 20 mA, lo que proporciona un rendimiento confiable para diversas necesidades de amplificación de señales en aplicaciones de RF y audio.
Dimensiones : El tamaño del transistor MPF102 es de 19x4,5 mm.
Construcción : Construido con materiales plásticos y metálicos, garantizando un uso duradero y resistencia a los factores ambientales.
Juego completo de 20 piezas : Incluye 20 transistores MOSFET de canal N, ideales para ingenieros, aficionados y técnicos que trabajan en proyectos de amplificación de RF y mezcla de frecuencias.
9,39 € EN AMAZON
ECSiNG
ECSiNG 10 transistores MOSFET de canal N IRF540N con clasificación ESD TO-220 33 A 100 V 3 pines rectificador internacional para la industria del hogar y bricolaje
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CALIDAD BUENA
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#7
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Modelo: IRF540N; ID de corriente de drenaje continuo: 33A; voltaje de fuente de drenaje Vds: 100V; polaridad del transistor: canal N.
Material duradero: el transistor está hecho de material semiconductor de óxido de metal, que tiene buena estabilidad térmica y larga vida útil.
Tecnología de proceso avanzada: Transistor es una especie de componente electrónico de precisión con alta resistencia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y un gran rango dinámico.
Aplicación: El tubo MOSFET es una clase de elemento de control de voltaje. Estos dispositivos son aptos para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio, control de motor CC y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
Multifunción: rectificador de canal N con múltiples funciones como detección, rectificación, amplificación, conmutación, estabilización de voltaje y modulación de señal, ampliamente utilizado en circuitos integrados a gran escala y muy gran escala.
12,39 € EN AMAZON
HUABAN
HUABAN 10 piezas IRFZ44N Vdss=55V Rds (encendido) = 0.0175 ohmios ID = 49A TO220 transistor MOSFET de canal N de potencia
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#8
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MOSFET de canal N
Número de pieza: IRFZ44N
Vdss=55V, Rds (encendido) = 0,0175 ohmios, Id=49A
Cantidad en el paquete: 10 unidades
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EMSea
EMSea 100pcs Transistor MOSFET de Canal N 2N7000 ESD Clasificado TO-92 0.3A 60V 3Pin Potencia Rectificadora Internacional para La Industria Doméstica Y Bricolaje
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#9
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Modelo : 2N7000; ID de corriente de drenaje continuo : 0,3 A; Voltaje Vds Máx : 60V; Polaridad del transistor : Canal N.
Material duradero : El transistor está hecho de material semiconductor de óxido metálico, que tiene buena estabilidad térmica y una larga vida útil.
Tecnología de proceso avanzada : El transistor es un tipo de componente electrónico de precisión con alta resistencia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y un amplio rango dinámico.
Aplicación : El tubo MOSFET es un tipo de elemento de control de voltaje. Estos dispositivos son aptos para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificadores de audio, control de motores de CC y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
Multifunción : Rectificador de canal N con múltiples funciones como detección, rectificación, amplificación, conmutación, estabilización de voltaje y modulación de señal, ampliamente utilizado en circuitos integrados de gran y muy gran escala.
14,49 € EN AMAZON
Be In Your Mind
Be In Your Mind 10 transistores MOSFET IRF3708 MOSFET Transistores MOSFET de canal N, transistor Mosfet TO220 30V 62A para aplicaciones electrónicas
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#10
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Transistores MOSFET IRF3708: incluye 10 transistores MOSFET de canal N IRF3708 de alto rendimiento, adecuados para diversas aplicaciones de componentes electrónicos.
Diseño de canal N: cuenta con una polaridad de canal N con paquete TO-220 y un paso de pin de 2,54 mm para una fácil integración en circuitos electrónicos.
Alto voltaje y manejo de corriente: voltaje máximo de fuente de drenaje de 30 V, voltaje de fuente de puerta de ± 12 V y corriente de drenaje continuo de hasta 62 A, por lo que es ideal para aplicaciones de alta corriente.
Baja resistencia encendida: con una resistencia de encendido de solo 12 m, este transistor garantiza una pérdida de energía mínima y un funcionamiento eficiente.
Amplio rango de temperatura de funcionamiento: puede funcionar en condiciones extremas con un rango de temperatura de trabajo de -55 °C a 175 °C, proporcionando fiabilidad en diversos entornos.
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transistor mosfet canal n
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n ch mosfet
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